据韩国报纸《The Korea Times》报道，三星(Samsung)电子与海力士(Hynix)半导体将合作开发包括MRAM在内的下一代内存器件。

　　据报道，在一个由韩国政府支持的研发项目中，这两家公司将共同投资90亿韩元(合950万美元)。该项目将持续到2011年，总投资是525.8亿韩元(合5,540万美元)。

　　报道称，这两家公司将开发旋转力矩转移-磁性随机存储器(STT-MRAM)和其它非易失性存储器件。