DRAM短多势不可挡，主流规格DDRⅡ512MB ETT报价上周五（18日）持续大涨11.25%、每颗报1.07美元，1GB规格更飙涨11.44%、站上2.18美元，统计今年来现货价反弹已逾二成，国内外DRAM业者首季营运压力已大为纾解。

　　国内DRAM厂法说本周将由南科、华亚科于明（22）日打头阵，茂德与力晶分别于29、30日举行。挟现货价持续反弹与法说会题材，DRAM族群本周有机会担任带领电子股反弹的急先锋。

　　力晶上周五盘中一度冲抵13.9元，创今年新高，惟尾盘涨势压回，终场收13.6元，但仍较前一交易日上涨0.35元；华亚科上周五同步收涨0.9元在26.55元；南科、茂德则告小跌。值得注意的是，美股上周五开高走低，唯独DRAM大厂美光（Micron）逆势上涨6.27%，表现格外受到市场瞩目。

　　DRAM现货价持续反弹，目前市场寄望业者能在法说会释出利多消息；不过，全球最大DRAM业者南韩三星上周指出，DRAM今年上半年仍然供过于求，显示DRAM景气复苏仍存在变数。

　　三星电子（Samsung）预期，今年首季全球PC出货量将较去年第四季下滑8%，但企业采纳Windows Vista比率可望攀升，有助刺激DRAM需求回温。

　　集邦科技认为，今年有几项利多可望刺激DRAM价格反弹、甚至回稳，包括台系DRAM厂已陆续宣布减少今年资本支出，奇梦达（Qimonda）宣布调降欧元地区生产比率由40%降至30%，各家12寸晶圆产能扩张趋缓与8寸晶圆厂产能不断去化，以及今年DRAM位元成长率预估将由去年的92%下降至57%。

　　集邦科技指出，今年消费性桌上型电脑与笔记型电脑位元成长率将有11%与25%，对记忆体搭载容量会高达3GB至4GB，有助提升整体记忆体容量。此外，低价电脑开拓新的商机，亦有助消化部分DRAM产能。

　　不过，有DRAM业者坦言，南韩三星与海力士（Hynix）在全球DRAM市占率将近50%，唯有上述两家甚至更多的国际大厂减产，今年DRAM市场才有机会供需平衡，DRAM颗粒价格才会真正止跌回升。

　　DRAM业界指出，DRAM产业景气荣枯系于供需是否平衡，当供给大于需求1%，价格会快速下跌，反之则大涨，因此当供过于求时，由市占率高的大厂带头减产，才能真正有助价格回稳；本波现货价反弹，是由台系厂年关岁修减产刺激出来的，对整体供给面的去化影响，还有待观察。