大陆武汉政府出资、上海晶圆代工厂中芯国际代管的武汉十二寸厂新芯集成电路，原订在今年初要开始投产，但至今仍未有任何投片动作。大陆当地业者指出，新芯原本要技转日本尔必达（Elpida）技术并生产DRAM，但因DRAM价格重挫，现在新芯策略已经有所变化，可能在中芯的主导下，改为生产NAND等快闪记忆体产品。

　　大陆地方政府为了争取半导体厂设厂，均由地方政府投资、中芯国际代管等方式，大动作兴建八寸及十二寸晶圆厂，而在中芯的牵线下，由成都市政府出资兴建的成芯集成电路，已取得了尔必达的旧八寸厂设备，并已开始投入DRAM生产。中芯原本要以同样方式，让武汉十二寸厂新芯集成电路与尔必达合作，不过因该计划传出生变消息，新芯机台在去年底顺利装机后，至今仍未开始投片，近日则传出将改为投产NAND消息。

　　据大陆当地半导体业者指出，由于中芯方面一直无法与尔必达间有更进一步的协议，所以中芯不得不进行策略转向，将新芯的重点产品线由DRAM转向NAND，由于中芯去年十月与飞索半导体（Spansion）签下代工合约，中芯可以使用飞索的九○奈米及六五奈米技术，生产及销售特定快闪记忆体产品，因此新芯转向投产NAND的方向几乎已经确定。

　　中芯目前仍与国际DRAM大厂奇梦达（Qimonda）、尔必达等有技转代工的合作关系，中芯过去与以色列商Saifun签下技转合约，并在上海厂区以Saifun的NROM技术生产二Gb NAND快闪记忆体，去年底飞索并购Saifun后，中芯则与飞索签下新约，但中芯仍持续以NROM生产高容量NAND晶片，去年底已成功试产八Gb NAND产品。由于NAND要在十二寸厂中生产才具成本优势，新芯正好可以成为中芯投入NAND市场的最佳产能来源。

　　大陆媒体近日亦引述新芯主管谈话报导，由于客户群的变化，以及 DRAM价格崩跌，中芯代管的武汉十二寸厂的确需要重新考量要以什么产品投片，现在转向以毛利率较高的快闪记忆体将是个主要方向，虽然生产的产品线有所调整，但新芯仍会在本季开始投片量产。