国内DRAM厂本月底将进入岁修期，在市场预期农历年前需求可望回升下，今DDR2 512Mb eTT现货价持续走扬，每颗上涨0.83%，达0.97美元，创下这波反弹以来的最高，专业内存市调机构集邦科技(DRAMeXchange)指出，已有台系DRAM厂将降低3月的DRAM产出，预估3月的DDR2价格有机会攻上1美元以上。

　　DRAM现货价今持续上涨，DDR2包括1Gb、512Mb等都全面走升，其中1Gb eTT已涨至1.87美元，逐步向2美元近逼；512MbeTT则达0.97美元，也朝1美元的迈进，持续维持涨升走势。

　　今年以来的第一周，DDR2 512Mb eTT现货价维持在0.84至0.85美元狭幅整理格局，并于第二周开始反弹，从1月7日的0.84美元上涨9.5%，至1月14日的0.92美元；同时DDR2 1GbeTT涨幅也有6.4%，由1.72美元上涨至1.83美元。

　　就这波价格趋势而言，品牌颗粒DDR2 512Mb均价由2007年1月2日的6.32美元下跌73%至5月22日的波段新低1.7美元，随即在一个月内拉回40%至6月22日的2.4美元，然后又下滑62%至11月28日的0.92美元打出第一支脚，接着反弹4.3%至12月5日的0.96美元，并于12月11日破新低0.91美元打了第二支脚，形成了一个完整的W底，从去年年底开始在0.92至0.95美元筑底。

　　值得注意的是，目前单颗DDR2 1Gb与两颗512Mb的价差已经低于1%。根据集邦统计，在2007年10月两者的价差还维持在37%，但是到了12月份就收敛到5.1%，显示现货市场1Gb的供应量大增。

　　由于单颗1Gb的成本至少可节省后段封测0.3-0.5美元，而对目前价格萎靡不振的DDR2而言，加速生产1Gb无疑是DRAM厂降低成本最迅速的方法。除此之外，单颗DDR2 1Gb价始低于两颗512Mb，也象征市场主流已经转向1Gb。

　　就市场面来分析，一月上旬DRAM合约价止跌回稳，接连带动现货市场中的DDR2颗粒的价格攀升，加上中国农历年前市场需求会走强，假使这波买气聚集，DDR2 512Mb品牌颗粒有机会于1月底或农历过年前率先回到1美元以上，否则将会在0.8-0.95美元盘整。

　　而DRAM厂有岁修计划进行，其中台系厂茂德将实施岁修长达两周，降低DRAM三月总产出，加上PC销售在三月预计会微幅向上。集邦预测，在3月DDR2有非常有机会上攻1-1.2美元。若在第二季前，有DRAM厂宣告部份停产或降低资本支出，则DDR2 1Gb有机会突破2.5美元，带领DRAM厂告别亏损迎向获利。