先进光刻技术中，成像曝光物质和不需要曝光的光刻胶中间的纳米级接口几乎近似不可能，他们的尺寸是在是太细微了。现在美国国家标准和技术研究院（NIST）已经发明了一项技术使用中子束来使半导体制造商可以清楚的修整这些边缘部位。

　　光刻过程其中需要在晶圆上覆盖一层聚合光刻胶，然后使用从光罩射出的193nm波长光进行曝光，由此改变该处材料的可溶性，然后就可以用溶液洗掉该部分光刻胶，留下预先设计的图案在晶圆上。不过，图案的边缘部分不是很完美。在65nm节点工艺中，如何处理毛边还没有显得那么重要。但是当半导体工艺发展到45nm以至更高级，边缘部分必须被处理的更好--在32nm节点工艺超过3nm的毛边就已经超出了承受范围。

　　不幸的是，直到现在成像这些边缘近乎不可能。如今NIST成功发明利用中子束方法可以帮助半导体制造商来看清楚他们的操作。该项工艺的关键是要取代氘重水，当成像曝光物质和未曝光光刻胶之间接口的时候要采用纳米解析。

　　他们发现该边缘部分比其他部分更粗糙。使用溶液清洗的时候，溶液渗入边缘下方几纳米，导致了干燥过程中的崩溃，因为该处比其他的抗蚀剂分子膨胀规模大了好多。NIST预计现在的光刻公式在32nm节点工艺中，将不能实现芯片所期望的规整。

　　拥有了新的光刻成像技术，NIST正在投资研究如何改进抗蚀剂，以求能够控制膨胀问题，这样的话在半导体制造商采用32nm节点工艺的时候，他们就可以有一个全新的光刻公式来生产出更规整的半导体芯片。

　　NIST研究获得了SEMATECH的资助，SEMATECH是美国半导体制造商的非营利性联盟，专门从事基础工艺研究，寻找提高生产工艺的方法。