据DigiTimes网站报道，DRAM厂花大钱投资在70纳米工艺技术却可能欲哭无泪，碍于全球DRAM售价下跌速度远快于DRAM工艺技术所产生成本下跌速度，因而使得DRAM厂不得不咬紧牙关继续往下一代工艺技术挺进，也将使得70纳米工艺技术成为DRAM产业有史以来最短命的工艺技术。

　　DRAM厂要降低制造成本、扩大产能，方式之一便是工艺技术微缩，但面对全球DRAM售价持续以惊人速度下滑，DRAM厂更是全力以赴的引进最新工艺技术，而过去几季度全球各大DRAM厂全力导入70纳米工艺技术，盼通过70纳米工艺技术产能的扩大，得以对抗DRAM售价剧幅的下跌，看能否让DRAM厂在2008年有机会转亏为盈。

　　不过70纳米工艺技术恐将在2008年第2季度时便宣告逐步功成身退，各大DRAM厂将开始导进更新世代工艺技术，而这样一来将使得70纳米工艺技术，成为DRAM产业有史以来最短命的工艺技术，而DRAM厂所投入于70纳米工艺技术的庞大研发费用与相关机器设备，也将逐步付诸东流。

　　依照过去DRAM厂引进新一世代工艺技术经验来看，往往1个世代工艺技术大多可使用2年左右，甚至更久的还曾使用到3年，这次70纳米工艺技术仅使用1年，恐将是DRAM产业有史以来最不划算的投资。

　　据了解，力晶自2007年第2季度开始导入70纳米工艺技术投产，目前看来2008年第2季度左右，力晶将会投入下一代的65纳米工艺技术，三星电子(Samsung Electronics)同样也在2007年第2季度投入68纳米工艺量产，估计至2008年也会开始投入58纳米工艺技术量产计划，海力士(Hynix)采用的66纳米工艺技术，估计同样经过1年，至2008年第2季度开始导入54纳米工艺技术投入，至于沟槽式(Trench)集团成员进度会稍微落后，现已开始导入70纳米，估计也大约1年左右开始导入下一代58纳米工艺技术。