一位参加2007年12月10～12日美国华盛顿电子元件国际会议2007 IEDM日本某半导体厂商制造技术人员说道:“今年，来自韩国三星电子的优秀技术发表很少”。

　　与去年相比，三星的盈利核心产品存储器相关的技术发表来看已经一目了然。一年前“2006 IEDM”上，三星发布了多项新技术。如计划08年量产的32Gbit NAND闪存的详细制造技术、以及集成度远高于其它竞争企业的512Mbit PRAM技术。另外，还在2006 IEDM上发布了在三维方向上层叠2个存储器单元的闪存技术等，对其后技术潮流的形成起到了先导作用。同时，该公司派出半导体业务最高负责人Chang-Gyu Hwang（三星Semiconductor Business Division，总裁兼CEO）发表主题演讲。

　　与此对照的是，2007 IEDM上三星虽然也发表了以“Memory Technologies for Sub-40nm Node（40nm工艺以后的存储技术）”的特邀演讲，不过与NAND闪存和DRAM有关的先进技术发表变得销声匿迹。

　　三星开始改变在国际会议上技术发表方针

　　在国际会议等公开场合上不再发表自己的详细技术，三星开始采取“技术黑箱”的方针。

　　因为，此前具有绝对优势的存储器业务的竞争力开始下降。例如，三星07财年第一季度的DRAM供货量（按512Mbit换算）被韩国海力士半导体超出。虽然07财年第二季度三星的DRAM供货量反超海力士。

　　在设备投资方面，三星也被迫在NAND闪存和DRAM领域两线作战。同时，将大部分设备投资集中在NAND闪存领域的东芝、以及DRAM专业厂商尔必达内存的产能正逐渐逼近三星。

　　“技术黑箱”

　　近几年来，“技术黑箱”一直是日本电子厂商积极推进的做法。“技术黑箱”的优点是可将技术控制在本公司范围内，但另一方面也会产生令人担心的局面。推进“技术黑箱”化，意味着包括技术开发战略在内的企业经营方针进入“守势”。