据日经BP社报道，一位参加2007年12月10～12日美国华盛顿电子元件国际会议“2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”的日本某半导体厂商制造技术人员说道：“今年，来自韩国三星电子的优秀技术发表很少。”

　　单从与三星的盈利核心产品存储器相关的技术发表来看，与去年的差距也一目了然。一年前的“2006 IEDM”上，三星毫　无保留地发布了多项新技术。例如，计划08年量产的32Gbit NAND闪存的详细制造技术、以及集成度远高于其它竞争企业的512Mbit PRAM技术。另外，还在2006 IEDM上发布了在三维方向上层叠2个存储器单元的闪存技术等，对其后技术潮流的形成起到了先导作用。在2006 IEDM上，该公司甚至派出半导体业务最高负责人Chang-Gyu Hwang（该公司Semiconductor Business Division，总裁兼CEO）登台发表主题演讲。

　　与此形成对照，2007 IEDM上三星虽然也发表了以“Memory Technologies for Sub-40nm Node（40nm工艺以后的存储技术）”为题的特邀演讲，不过与NAND闪存和DRAM有关的优秀技术发表变得销声匿迹。

　　根据本刊在采访中得到的消息，三星从2007 IEDM开始明显改变了在国际会议上的技术发表方针。改变了原来在IEDM等大型国际会议上发表重要半导体制造技术的做法，尽量减少在国际会议上发表不久就能够转化为产品的技术详情。在国际会议等公开场合上不再发表自己的详细技术，也就是说三星开始采取“技术黑箱”的方针。

　　三星改变方针的背景是，此前具有绝对优势的存储器业务的竞争力开始下降。例如，三星07财年第一季度的DRAM供货量（按512Mbit换算）被韩国海力士半导体超出。虽然07财年第二季度三星的DRAM供货量反超海力士，不过不难想象三星由此受到的冲击之大。

　　另外，竞争对手并不只是海力士。设备投资方面，三星也被迫在NAND闪存和DRAM领域两线作战，因此投资就势必趋于分散。这样就给了后续厂商可乘之机。将大部分设备投资集中在NAND闪存领域的东芝、以及DRAM专业厂商尔必达内存的产能正逐渐逼近三星。

　　说起“技术黑箱”，近几年来一直是日本电子厂商积极推进的做法。“技术黑箱”的优点是可将技术控制在本公司范围内，但另一方面也会产生令人担心的局面。推进“技术黑箱”化，意味着包括技术开发战略在内的企业经营方针进入“守势”。此前靠不断进攻才超越日本企业的三星丧失了“攻势”，企业由此会继续发展还是开始走下坡路？三星今后的动向不能不让人关注。