东芝与NECElectronics日前宣布将共同研发32纳米系统LSI芯片技术，这是两社继去年共同研发同型45纳米芯片后再度携手合作，可见两社为了快速量产尖端处理器，欲以连续合作模式降低开发负担并提高投资效率的企图。

　　东芝表示，为了实现32纳米制程高性能、低耗电率的次世代芯片，其所需的高度技术将消耗不少研发资源，因此社内协议后决定继续与NEC EL合作，共同在东芝设立于日本横滨的Advanced Micro Electronics Center开发研究中心投入相关技术人员进行密集研发。

　　东芝与NEC EL对此次合作排入约2年研发期程，预定2010年可正式量产化，而对于彼此是否有权在基础制程后对芯片加入其它附加性质或差异化的加工技术，两社已协议另外以个案来处理。