据EETimes网站报道，英飞凌宣布将其130nm嵌入式闪存制造工艺授权给IBM。IBM将在其北美制造工厂采用这一工艺，为英飞凌提供代工服务。

　　目前，该过程的整合和鉴定已经在IBM伯灵顿的200mm晶圆厂展开，预计初步设计套件在08年下半年可用。

　　2006年4月，英飞凌宣布开始批量生产其面向汽车系统的高级32位嵌入式闪存微控制器。同时也标志着世界上首次运用130nm工艺实现嵌入式闪存产品量产的实现。

　　据英飞凌科技销售业务负责人Peter Bauer表示，通过此次合作，英飞凌实现了其制造IP的价值，得到了量产的新途径并且加强了与IBM的长期合作伙伴关系。

　　“通过与英飞凌的合作，我们拓宽了我们的半导体供应服务，”IBM全球工程解决方案部半导体解决方案副总裁Steve Longoria表示，“这个授权许可平衡了IBM的技术基础并补充了我们在模拟和混合信号专业技术。”

　　另外，2007年4月，英飞凌与印度半导体制造公司签署了谅解备忘录，英飞凌将许可HSMC使用其领先的130纳米CMOS工艺技术。

　　根据谅解备忘录规定，英飞凌将授权HSMC使用其130纳米CMOS基础工艺技术和适用于射频、芯片卡嵌入式闪存和汽车应用嵌入式闪存的工艺技术。此外，英飞凌还就技术转让和HSMC建厂提供技术和建议。英飞凌还将允许HSMC使用其成熟、合格的设计库。