安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。

　　这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。

　　器件 　　 

　　其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。 　　 

　　器件                                 VDS    ID         Rdson @ 10 V     Qg (典型)

• NTD4804N           30 V     117 A        4 mΩ          30 nC
• NTD4805N           30 V     88 A          5 mΩ          20.5 nC
• NTD4806N           30 V     76 A          6 mΩ          15 nC
• NTD4808N           30 V     63 A          8 mΩ          11.3 nC
• NTD4809N           30 V     58 A          9 mΩ         10.7 nC
• NTD4810N           30 V     54 A          10 mΩ        9 nC
• NTD4813N           30 V     40 A        & nbsp;   13 mΩ        6.9 nC
• NTD4815N           30 V     35 A          15 mΩ        6 nC

　　其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。

     器件                   VDS    ID             Rdson @ 10 V     Qg (典型)

•  NTMFS4833N       30 V     191 A          2 mΩ          39 nC
•  NTMFS4834N       30 V     130 A          3 mΩ          33 nC
• NTMFS4835N       30 V     104 A          3.5 mΩ       25 nC
• NTMFS4836N       30 V     90 A            4 mΩ          19.1 nC
• NTMFS4837N       30 V     74 A            5 mΩ         14.2 nC
• NTMFS4839N       30 V     66 A            6 mΩ          12 nC
• NTMFS4841N       30 V     57 A            7 mΩ          11.9 nC
• NTMFS4741N       30 V     67 A            8 mΩ          15 nC  
• NTMFS4744N       30 V     53 A            10 mΩ        10 nC
• NTMFS4747N       30 V     44 A            13 mΩ        12 nC