Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的业界标准分立 MOSFET 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用SkyFET器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300kHz、6A 时，效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的：Si4642DY整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷，以及通过将两器件整合到单个芯片中实现的更低 PCB 寄生电感。

　　新型Si4642DYSkyFET功率MOSFET 一般将在面向笔记本电脑内核电压与 VRM 应用的同步降压转换器、显卡、负载点功率转换及计算机与服务器中的同步整流中用作低端功率 MOSFET。该新型器件将 30V 击穿电压与 10V 栅极驱动时 3.75 毫欧的 MOSFET 导通电阻进行了完美结合。

　　与使用单独元件或共同封装的元件相比，将肖特基二极管与 MOSFET 整合到单个芯片上不仅节省了板面空间，而且还通过三个主要方式提高了器件性能。首先，肖特基二极管中的正向压降 (VF) 远低于 MOSFET 的内在体二极管中的压降。当在降压转换器应用中的停滞时间关闭 MOSFET 时，这将实现极低的功耗。第二个改进是肖特基二极管的反向恢复电荷 (QRR) 比 MOSFET 体二极管的 QRR更低。与标准 MOSFET 体二极管相比，Vishay Siliconix SkyFET 技术可使器件中的 QRR降低几乎 20%，这可在轻负载下提高转换器的效率。最后，将肖特基二极管整合到 MOSFET 芯片中可消除在将它们作为单独元件安装到 PCB 或共同封装单独 MOSFET 及肖特基二极管元件时存在的寄生电感。与共同封装的等同 MOSFET/肖特基器件相比，Si4642DY可实现更高的效率、更稳定的波长，以及在 4.5V 时低 55% 的导通电阻。

　　目前，Si4642DY控制器的样品和量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 8～10 周。