据DigiTimes网站报道，2007年在全球NAND型闪存(Flash)市场竞争中大多处于苦苦追赶状况的海力士(Hynix)，为能在2008年与东芝(Toshiba)、三星电子(Samsung Electronics)一较高低，于2007年投入大量研发资源在57纳米工艺技术，不过在量产不到1季度便将提前下台，海力士48纳米工艺已确定在2008年第1季度开始量产，这样进度将较2大龙头大厂三星及东芝足足快上半年，足见海力士欲在2008年扳回一城的决心及气势。

　　海力士2007年NAND Flash工艺技术进度，可说完全处于挨打局面，往往竞争对手已转进下一代量产，海力士却仍仅能采用前一代工艺技术与竞争对手力拼，当三星及东芝已纷转进50纳米工艺世代时，海力士却只能用60纳米工艺技术死守既有客户，这对于海力士而言，可说一直处于不利位置，为此海力士于2007年投下重金研发57纳米工艺，誓言要借此抢回部分失去的市占率。

　　不过，这样进度对于海力士而言，似乎依然无法达到大举抢回市占率目的，原因在于海力士57纳米工艺必须等到2007年12月才能正式投入量产，相较于其它竞争对手在50纳米工艺量产时间，均已有一段时间差距，因此，在成本竞争上，海力士恐仍将持续处于挨打局面，为此海力士痛定思痛，加快48纳米工艺技术量产，希望在40纳米世代可较竞争对手快，借以挽回既有市场颓势。

　　目前海力士48纳米工艺已确定可在2008年第1季度进入量产阶段，且初步投片量一举可拉高至约2万片规模，相较于东芝或三星在40纳米工艺世代量产时间点，海力士此次确实已扳回一城。半导体业者指出，东芝45纳米工艺时间表为2008年第1季度才会有样本出来，而依照正常从样本出来到量产所需时间推算，东芝45纳米工艺量产时间可能落在2008年第3季度左右。

　　同样地，三星旗下40纳米工艺进度与东芝不相上下，半导体业者表示，三星45纳米工艺量产时间点也需要等到2008年第3季度，2大厂40纳米工艺世代进度与海力士相较，足足晚半年左右时间，这对于海力士而言，无疑将是一大利多。

　　部分NAND Flash业者认为，海力士宣称48纳米工艺将于2008年第1季度便进入量产，这对于东芝与三星来说，确实将会对2大龙头厂构成重重一击；但亦有业者认为，海力士恐不太可能如此出乎意料地后来居上，毕竟NAND Flash产品在进入50纳米工艺世代量产阶段，便花费各NAND Flash业者相当一段时间，海力士怎么可能在这么短时间内超越2大龙头厂，成为第1家进入40纳米工艺世代量产的NAND Flash业者，因而对此抱保留态度。