据日经BP社报道，第14届国际显示器技术专题讨论会上，2008年3月即将关闭的液晶先端技术开发中心ALTEDEC就7年来的成果发表了5篇论文。该中心的远藤以“Recent Advance in Single-Shot Laser Crystallization for Large Si Grain Arrays”为题，介绍了玻璃底板上非晶硅的单结晶化技术。

　　使用ALTEDEC开发的“Phase-modulated Excimer Laser Annealing”（利用激光干涉二维控制光强度）技术，可以形成呈阵列状的约5μm×3.5μm单晶硅薄膜。结晶不完全是单结晶，而是局部混有Σ3和Σ9的准单结晶（PSX：pseudo-single crystal）。在该结晶内制作出通道宽2μm、通道长1μm的TFT，并评测了电气特性。结果显示，n通道晶体管的迁移率为848cm2s，p通道晶体管为181cm2s，与采用同样方法制成的SOI特性相同。

　　另外，通过改善非晶硅层的薄膜层以及激光照射条件，可以获得21μm×15μm的单晶硅阵列。目前，通过一维发射，可以在2mm×2mm内形成上述阵列。如果扩展为二维发射，还可以支持大尺寸底板。