IBM及其合作开发伙伴日前宣布，它们用于下一代32纳米器件的高k/金属栅极技术将在2009年下半年向IBM合作伙伴及其客户提供。IBM的合作伙伴包括AMD、特许半导体、英飞凌、三星和IBM。利用高k/金属栅极工艺技术，IBM及其伙伴能够把芯片尺寸最多经45纳米芯片缩小50%。45纳米芯片尚未量产，预计在2008年第一季度末开始增加产量。

　　IBM表示，它的高k/金属栅极芯片可节省大约45%的总体功率，并使性能提升最多达30%。

　　IBM的联盟伙伴开发出来并展示了一款32纳米SRAM，cell尺寸小于0.15um2。它们还在32纳米上整合了高k绝缘硅(SOI)技术，面向高性能应用。这种高k材料特点可以使晶体管速度比上一代高性能SOI技术提高30%。

　　IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton表示：“这项业内领先开发成果的实现，利用了六家伙伴公司的工程人才，以及世界级的研发设施，如Albany纳米技术研究中心，这样才能保持积极的路线图。”

　　另外，英特尔已经宣布了32纳米技术。但Patton相信：“IBM第一个开发出面向低功耗及高性能应用的32纳米working SRAM。”

　　市场调研公司Gartner预测，对于芯片厂商来说，32纳米工艺开发成本可能高达30亿美元，是65纳米技术的两倍。32纳米工厂的建造成本估计高达35亿美元。