为了满足新一代高密度片上非易失性存储技术的需求，日立有限公司(Hitachi)与瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布开发出运行于1.5V电源电压的512KB(相当于4Mb)相变存储模块。该器件能够实现416KB/s的写入速度和20ns的读取时间。利用以前开发的100μA(Micro安培)写入操作电流的“低功耗相变存储单元”，两家公司开发了一种可以实现高速读写操作的外设电路技术。 

　　新开发的电路技术具有以下特性。 

　　写电路技术有助于利用小电流实现高速写入 

(1)两步电流控制的数据写入方法 

　　高速写入是利用控制两步写入过程中流经相变薄膜的电流来实现的，首先是100μA的电流，然后是低于100μA的电流，以有效产生焦耳热量。 

(2)串写方法 

　　通常，存储器的写入是多位同时执行的。由于写入所需的电流为(单元写电流×同时写的位数)，所以在写许多位时，写操作期间的峰值电流很大。现在，一种串写方法已经开发出来，可以一次连续写入许多位，峰值电流可以通过只写一个位来进行抑制。 

　　高速读取电路支持微小读取电流 

　　尽管实现了用小电流进行写操作的优势，日立和瑞萨科技较早开发的相变存储器还存在一个读取速度缓慢的问题，这是由微小读取电流引起的。为了解决这个问题，现在开发了一种读取电路，其中使用了两级检测放大器(放大电路)，通过优化每个检测放大器的工作电压使信号可以逐步放大。与使用单级检测放大器的电路相比，可以在更短的时间执行放大，从而实现更快的读取时间，同时将检测放大器的电流消耗抑制在280μA以下。 

　　电路技术有助于实现纳安级的微电流值的测量 

　　为了测试制造的存储单元的质量，重要的是准确测量信号读取之前的读出电流值。不过，在正常工作条件下，纳安级的微小读出电流对存储器电路中产生电流泄漏来说微不足道，对它进行准确的测量非常困难。因此，利用开发的一种新的电路技术，通过优化存储器电路的电压可将电流泄漏降到最低水平，从而可能对存储单元的微读出电流进行高度准确的测量。将测量结果反馈到制造过程将有助于实现存储单元质量的改进。 

　　一种采用130nm CMOS工艺的实验用512KB存储模块已经生产出来，它采用了新开发的100μA单元可写电路技术。测试结果确认了416Kbps写操作和20ns读操作的可能性，在实现高速运行的同时，可以保持低功耗运行相变存储单元的性能。