MIPS科技公司模拟业务部Chipidea日前宣布其USB高速物理层(PHY)IP已获得特许半导体(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.)65nm和90nm工艺技术认证。Chipidea的USB 2.0 OTG物理层内核符合USB 2.0标准并获得了独立认证USB实施者论坛(USB-IF)的认证，经过了硅验证并获得了特许半导体客户就绪代工厂解决方案0.18um、0.13um、90nm及65nm认证。

　　Chipidea的USB IP有助于加快用户设计的USB和USB OTG Supplement进入便携式计算设备的上市时间，如手持设备、移动电话、海量存储设备及数码相机。这些设备的市场正在迅速发展。市场研究机构In-Stat的报告显示，2006年全球USB设备的出货量超过了20亿台，该机构预测到2011年，年出货量将增长12.3%。

　　特许半导体平台联盟部高级总监Walter Ng表示：“我们正在与几个客户合作，这些客户都把Chipidea的USB解决方案集成到他们的高速互连产品，这反映了对Chipidea IP的市场需求和客户信任度。Chipidea在及时供货及其IP解决方案一次通过投片成功方面有着良好的纪录。公司的USB高速物理层产品满足了我们为特许半导体客户提供的标称65nm和90nm低功耗公共平台技术工艺严格的IP质量基准。”

　　Chipidea物理解决方案部总监Celio Albuquerque表示：“USB-IF在特许半导体的65nm和90nm工艺的物理层认证建立在我们成为市场上第一个在如今各个最先进技术节点提供硅验证IP的基础之上。客户可以利用我们的USB IP解决方案，包括物理层器件和控制器，以最低的成本和最快的集成时间推向市场。”

　　Chipidea的CI12323cn(USB 2.0 OTG PHY)是作为65nm标称工艺的特许半导体公共平台解决方案的一部分获得硅验证的。CI12343cm(USB 2.0 OTG PHY)也同样获得了90nm低功耗工艺下的硅验证。该内核可以在多种工艺规格下使用。