Dallas Semiconductor近日推出内置实时时钟(RTC)、采用单芯片表贴封装的非易失性SRAM(NVSRAM)模块——DS3030/DS3045/DS3050/DS3065。在意外或不定期的掉电情况下，这些模块为保护重要数据提供了一种完全集成的便利方法。器件采用27×27mm、256焊球BGA封装，并与外部环境完全隔离密封。 

　　新型的DS3030/DS3045/DS3050/DS3065包含可承受回流焊的电池。由于内部集成有智能电路，可持续监视VCC，检查是否超出容限。一旦出现这种情况，自动接通锂电池，并无条件使能写保护功能，以防止破坏数据。 

　　该系列存储器模块对执行写操作的次数没有限制，而且与处理器接口无需额外的支持电路，可替代SRAM、EEPROM或Flash存储器。3.3V模块的容量从32k×8位至1M×8位，并具有相同的封装尺寸和引脚排布，从而无需改变封装尺寸可增加产品容量。 

　　此外，这些新型模块内置的RTC具有完整的Y2KC时钟/日历功能，包含有RTC报警、看门狗定时器、电池监视器以及电源监视器。RTC寄存器包含世纪、年、月、日、星期、时、分、秒数据，采用24小时BCD格式。每月天数以及闰年的修正可自动完成。 

　　该系列产品采用单芯片架构，所以可采用标准装配工艺来处理。采用现有的拾取-贴放设备即可从料盘上拾取器件并进行贴放。该系列模块与标准SMT工艺相兼容，可承受+225℃/+0℃/-5℃的峰值回流焊温度长达30秒。回流焊完成后，可用水基溶液对这些模块进行清洗，无需特殊的防护。