美国国家半导体公司宣布推出三款全新的信号调节缓冲器，这是该公司一系列领先业界的
LVDS 芯片的最新型号。这几款缓冲器都设有传送预加重及接收均衡功能，而且即使以高达 3.125Gbps 的速度传送信号，也只有极少的抖动，功耗也比上一代的缓冲器少，是业界首系列同时具备这些优点的
LVDS 芯片。美国国家半导体将会在今年内陆续推出另外十一款具备相若功能的
LVDS 芯片产品，其中包括交叉点开关、多路切换器/缓冲器以及分离器。
美国国家半导体的 DS25BR100、DS25BR110 及
DS25BR120 都是单通道的 LVDS 缓冲器，即使传输速度高达 3.125Gbps，仍可确保信号完整无缺。这三款芯片具有业界最低的 9ps 抖动 (典型值)，而且功率只有 100mW，也属于业界最低的水平。美国国家半导体这几款 LVDS 缓冲器能以极高速度驱动 FR-4 底板及电缆上的信号，最适用于通信设备、储存以及成像系统。例如，这几款芯片能以 2.5Gbps 的速度驱动 10 米长的 InfiniBand 电缆或 40 英吋的 FR4 底板，而均衡器输出端的残余抖动只有 0.15UI。新一代串行数字接口 (SDI) 广播级视频路由器及家庭影院数字视觉接口 (DVI) 互连电缆也可利用这几款缓冲器加强信号强度。
这几款 LVDS 缓冲器可以提供 7kV 的静电释放保护与信号缓冲，适用於新一代的 90nm、65nm 现场可编程门阵列 (FPGA) 以及专用集成电路 (ASIC)。
主要技术规格及特色 这几款 3.125Gbps 的 DS25BR1xx 芯片都采用 8 引脚的 LLP? 封装，并设有全差分信号路径，可确保信号完整无缺，又可大大加强信号路径的抗噪声干扰能力。DS25BR100 芯片设有两级的传送预加重及接收均衡功能，因此是中继器的理想之选。
DS25BR120 芯片设有四级的预加重，因此是最理想的高性能驱动器，而 DS25BR110 芯片则设有四级的均衡功能，最适宜用作高性能接收器。
LLP 封装体积小巧，大小只有 3mm x 3mm，不但可以节省电路板板面空间，而且其中的流通式引脚图可以将芯片的内部抖动减至最少，使电路板的设计工作变得更为容易。这几款缓冲器都可支持 LVDS、CML 及 LVPECL 输入，而输出则全面符合 LVDS 标准。差分输入及输出端都内置 100-Ohm 的电阻，以便降低芯片输入及输出的回波损耗，减少元件数目，以及进一步将电路板板面缩至最小。
