网站首页
IC库存
IC展台
电子资讯
技术资料
PDF文档
我的博客
IC72论坛
ic72 logo
搜索关键字: 所有资讯 行业动态 市场趋势 政策法规 新品发布 技术资讯 价格快报 展会资讯
  • 达普IC芯片交易网 > 新闻中心 > 技术信息 > 正文
  • RSS
  • Zetex放大器参考设计具低噪低失真和高阻尼因素特性
    http://www.ic72.com 发布时间:2007/11/28 11:28:09

       Zetex Semiconductors推出一系列新型超低音放大器参考设计,以独特的反馈架构减低失真和噪声,并达到紧密低音控制所需的高阻尼因素。

      最新ZXCDSUBEV死循环式设计以ZXCD系列D类调制器为基础,能产生高至285的阻尼因素,总和谐失真加噪声值比0.05%还要好,其持平的频率反应完全迎合超低音应用的需求。

      Zetex亚太区销售副总裁李锦华指出:“这些高增益电路设计,从经过滤的放大器输出提取反馈信号,能补偿任何桥接失配的情况,并可过滤非线性信号,确保能在整个功率频带范围内减低失真。”

      有关反馈信号还可体现上佳的电源供应抑制比(PSRR),使超低音放大器电路与非调节线性电源互相配合,体现最佳运作。此外,有关电路能抵受极高的偏移电压。

      ZXCDSUBEV凭借90%的效率和500W及以上的功率水平,有效把电影原声音乐的优质音效发挥至淋漓尽致。

      超低音技术制造商可选择使用单端式或桥接式负载架构。初阶选项能达致150W、250W及500W的输出功率,迎合4Ω要求。此外,新设计凭借其高延展效能,使这项别具成本效益的单独平台可以轻易产生更高功率。
     




    www.ic72.com 达普IC芯片交易网
  • 行业动态
  • 市场趋势
  • 政策法规
  • 新品发布
  • Baidu

    IC快速检索:abcdefghijklmnopqrstuvwxyz0123456789
    COPYRIGHT:(1998-2010) IC72 达普IC芯片交易网
    客户服务:service@IC72.com 库存上载:IC72@IC72.com
    (北京)联系方式: 在线QQ咨询:点击这里给我发消息 联系电话:010-82614113 传真:010-82614123
    京ICP备06008810号-21 京公网安备 11010802032910 号 企业资质