半导体制造商ROHM株式会社最近开发出一种适合车载环境下使用的EEPROM BR25H0系列(非易失存储器)，这种新产品采用双单元结构，可以在125℃条件下稳定工作，与SPI BUS兼容。ROHM倡导用双单元结构来实现高可靠性，整个EEPROM产品系列都采用这种新结构。而且，这次开发出的样品可以在125℃下稳定工作；静电耐压也达到6KV；在严酷环境下的车载ECU内读出初始数据和写入状态信息都表现出高的可靠性。新的产品系列中根据存储器容量和封装形式的不同共有12款不同型号的产品。

    BR25H0系列的主要优点

　　采用双单元结构，可以保证数据的可靠性读写　　　　

　　工作温度范围宽：-40～+125℃

    耐受静电电压高：HBM 6KV(typ.)　　　　　　　　　　　　　

    采用金焊接点和金引线使连接的可靠性更高　

    内置有基于双复位的电源监视功能　　　　　　　　

    内置有可高速写入的页写模式

    ROHM EEPROM支持SPI BUS，容易替换

    采用SOP8和SOP-J8封装(SOP8：6.2mm×5.0mm×1.71mm，SOP-J8：6.0mm×4.9mm×1.75mm)

　　ROHM这次开发成功的BR25H0系列，样品试验得出的结果是：可以在125℃下稳定工作；静电耐压也达到业界最高的6kV(HBM)。之所以有这些优良的性能，除了其中采用了双单元结构、金焊接点与金引线连接之外，对电路和工艺过程都做了高冗余度设计，还安排有严格的筛选和调试过程。另外，除了保证在85℃下擦写数据可达100万次之外，还实现了保证在125℃下擦写数据可达30万次。