闪存芯片供应商意法半导体近日采用90nm制造工艺的128Mbit NAND闪存NAND128W3A2BN6E。

　　NAND128W3A2BN6E 是一个采用TSOP封装的3V产品，以消费电子产品为目标应用。另两款产品256Mbit和512Mbit的NAND闪存（均有3V 和1.8V两个版本）也将在今后几个月内过渡到90纳米制造工艺。

　　NAND128具有超高速的数据吞吐量和擦写能力，该系列产品的地址线路和数据输入/输出信号都通过一个8位总线多路传输，从而降低了芯片的引脚数量，并允许使用一个模块化的NAND接口，使设备制造商无需改变芯片占板空间就可制造使用更高（或更低）密度的改进系统。

　　新的闪存芯片由1024个标称16字节的区块组成，每个区块又分成512字节的页面，每页还有16个备用字节，同时每个页面均可执行读取与编程操作。备用字节用于纠错、软件卷标或坏块识别。备份编程（Copy Back Program）模式能给储存在某一个页面的数据编程，然后将编程数据直接转存到另一个页面上，而无需额外的缓存。当页面编程操作因一个损坏区块而失败时，这个功能特别有用。新器件还提供区块擦除指令，擦除一个区块的时间仅需2ms。每个区块的耐擦写能力为100000次，数据保存期限为10年。

　　新器件还包含“无需介意芯片激活”功能，可简化微控制器的接口设计，同时能简化NAND闪存与NOR闪存、SRAM等内存的整合过程。另外，制造商在器件出厂前可以设定一个唯一的器件ID序列号，用户利用一个用户可编程序列号可以提高目标应用的安全功能。

　　NAND128W3A2BN6E 已开始量产，价格区间在4美元到4.5美元之间，封装为TSOP48无铅封装，工作温度范围-40～+85℃。