安森美半导体针对便携和无线音频应用，推出了三种新型低电阻模拟开关。
NLAS3799MNR2G是低压、超小R
on的双双极双掷（双DPDT）开关。它的总谐波失真为0.11%，R
on低至0.35Ω，可获得优越的音频性能和超低功耗。另外，NLAS3799LMNR2G（低压逻辑型号）支持1.8V输入偏差。这些器件采用无铅16引脚薄型QFN封装。
NLAS5223MNR2G 是低压、超小R
on的双单极双掷（双SPDT）开关。该模拟开关提高了低R
on 性能，引脚尺寸比常用的NLAS4684MNR2G小70%。总谐波失真为0.12%，R
on低至0.35Ω。另外，
NLAS5223LMNR2G的低压逻辑电平型号支持1.8V输入偏差。此类器件采用无铅10引脚薄型QFN封装。NLAS5123MNR2G 是1ΩR
on、单单极双掷（单SPDT）模拟开关，总谐波失真为0.012 %，具有瞬时短路功能。此类器件采用无铅6引脚薄型DFN封装。
