英特尔(Intel)力推45纳米工艺的Penryn系列4核心处理器X66于11月正式出货，主要的基板供货商包括揖斐电(Ibiden)、新光电气(Shinko)和NGK、南亚电路板等已同步切入小量生产中。

　　英特尔X66处理器层数已提升至14层板，业者认为，未来高层数、高阶产品比重将会益趋明显，有助于覆晶基板的消耗，估计2008年覆晶基板需求将比2007年增加逾25%以上，配合台、日覆晶基板厂扩产谨慎，2008年覆晶基板产业将呈健康发展，也有利于维持产能紧俏。

　　英特尔2007年力拱65纳米工艺的Santa Rosa处理器，在2008年将工艺推升至45纳米，45纳米Penryn 4核心处理器于11月正式出货上市，预计2008年将为主推产品。在英特尔力拱下，主要基板供货商厂自然受惠，包括Ibiden、Shinko及NGK、南电等已开始小量为英特尔量产X66新版覆晶基板。

　　由于新款微处理采45纳米工艺，线距较细，使得基板生产上也增添难度。此外，X66微处理器层数提升为14层，相对应的南桥芯片组增加为8层，加上超微(AMD)、恩威迪亚(NVIDIA)的低阶绘图芯片均从6层转进8层，高阶绘图芯片仍维持8层。业者认为，未来高层数、高阶产品比重将会益趋明显，有助于覆晶基板的消耗，使得上述基板协力厂第4季度高阶产能吃紧。

　　业者估计，在2008年英特尔大力铺货下，对于覆晶基板需求增加，将消耗覆晶基板产能约25~30%。就供给面而言，各家基板厂并没有大幅扩产动作，概算顶多于2008年增加10%的产能，有助维系产能供不应求的荣景，维持基板产业健康发展。南电指出，该公司先前计划将2008年月产能将增至3,500万颗，目前暂先下修为3,300万颗。为了配合细线路的微处理器，首重工艺改善提升，因此南电优先进行将工艺去瓶颈化，粗估全年最多增加100万~200万颗产能。

　　至于Ibiden、Shinko仍维持原产能水平，全懋覆晶基板第3季度产能利用率达85%，估计第4季度提高至90~95%，因此该公司预估第1季度会开始起用五厂的FC产能，目前FC产品月产能为1,400万颗，2008年的扩充计划幅度未定。欣兴第3季度覆晶基板产出达500万颗，以应用于绘图芯片为主，客户为恩威迪亚，预计年底将持续扩产至800万颗，2008年不排到上看1,200万颗。