车载的SiC功率半导体的期待。为了在“本世纪10年代”将其嵌入到混合动力车等所采用的马达控制用逆变器中，“希望业界广泛提供合作”。如果能嵌入SiC半导体，将有助于逆变器大幅实现小型化及低成本化。

　　在汽车领域的应用是许多SiC半导体厂商瞄准的目标，但多数看法认为，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在产业设备以及民用设备上配备，在汽车上配备的障碍更大。该公司虽然没有透露计划采用SiC半导体的日期，但表示“到本世纪10年代前期，如果开始在产业设备及民用设备上采用，那么，作为进一步改善了成本及可靠性的下一个应用领域，我们将会考虑在汽车上配备”(滨田)，估计将目标定在了2011～2012年以后。

　　作为车载设备专用SiC半导体的开发课题，该公司列举了：SiC底板5英寸(约125mm)以上的大口径化，常关(Normally Off)立式晶体管技术，可耐高温环境的封装技术。

　　如果将集团企业的研发成果也包括在内，那么，该公司就拥有涉及从SiC半导体晶体生成、到元器件及控制电路技术的多领域技术经验。作为实例，滨田介绍了借助将转移缺陷密度比以前降低3～4位数的“RAF法”制作SiC底板的技术，以及载体移动度高达244cm2/Vs的SiC-MOS FET等的开发成果。不过，“必要的开发工作，单靠本公司一家企业无法完成”，希望得到相关厂商的广泛协助。