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  • SiGe半导体推出三款Wi-Fi无线射频前端模块
    http://www.ic72.com 发布时间:2007/10/24 15:15:19

      SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)日前宣布进一步扩大其RangeCharger产品线,推出三种无线射频(RF)前端模块,帮助制造商优化产品的性能、电池寿命和传输范围,满足Wi-Fi市场之需求,而且允许制造商轻易改变设计,适合于嵌入式应用、PC卡或接入点的特定要求。

      SiGe半导体改变了其公认的高集成度2.4GHz RF前端器件架构,以支持一系列高数据速率54Mbps WLAN应用。在尺寸为8×7×1.1mm的小型封装中,每个器件都集成了线性功率放大器、功率探测器、传输/接收开关,以及相关的匹配电路。SE2521A40、SE2521A60和SE2521A80 RF前端模块各自可在收发器输出和天线之间提供完整接口,从而简化设计和制造,并削减材料清单(BOM)和总系统成本。

      新型RF前端模块可与其先前的802.11g RF前端模块SE2521A34接脚对接脚兼容,从而能让用户轻易改变现有设计,以优化新一代系统的性能、电池寿命和传输范围,以支持嵌入式、PC卡和接入点市场领域的灵活性。

      SE2521A40适用于嵌入式WLAN系统,以802.11g模式运作时,输出功率可达+18dBm、误差向量幅度(error vector magnitude, EVM)少于3%;以802.11b模式运作时,输出功率则为+22dBm、并同时满足所有ACPR要求。在802.11g模式下,这款前端模块既可实现高性能,又能够将电流消耗量减至最低的150mA。如此,制造商便可以在移动电话中添加VoIP功能而不影响电池寿命。

      SE2521A60具有优化的性能和功效平衡,能让PC卡在维持较长距离传输之余,实现最长的电池寿命。以802.11g 模式运作时,该器件的输出功率可达+19dBm、EVM少于3%;以802.11b模式运作时,输出功率则为+23dBm,并满足所有ACPR要求。在802.11g模式下,SE2521A60的电流消耗仅为195mA。

      SE2521A80经过特别优化,最适用于路由器和接入点,以802.11g模式运作时,该器件具有+20dBm的高输出功率和少于3%的EVM;以802.11b模式运作时,输出功率则为+20dBm,并满足所有ACPR要求。其高输出功率有效提高信号强度,令较长距离的传输稳健可靠。

      三款器件均集成了动态范围为20dB的功率探测器,以及用于收发器开/关控制的数字使能控制装置。功率探测器可将失配情况减至最少——2:1天线失配的变化仅为1.5dB,从而有效提升性能。

      目前三种器件均可提供样品,以订购10,000颗计算,SE2521A40、SE2521A60和SE2521A80的单价约为1.95美元(仅供参考)。 

    (52RD.com)


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