日前，设计与制造面向可推动移动通信的应用的高性能射频系统与解决方案提供者RF Micro Devices(RFMD)公司宣布，公司计划扩展复合半导体产能，以支持公司蜂窝及多市场产品组的预计增长。

　　此外，在RFMD多市场产品组所服务的市场中，预计到802.11n(GaAs HBT与GaAs pHEMT)的迁移以及更高的WiMAX(GaAs HBT与GaN)将成为提高复合半导体比重及加速市场增长的主要推动因素。与现有技术相比，例如硅LDMOS，RFMD的GaN工艺技术正在被快速公认为面向需要高功率、线性及带宽的应用的工艺技术。RFMD正在快速进行其GaN工艺技术的商业量产。

　　GaAs与复合半导体技术(GaAs)服务战略分析总监Asif Anwar指出：“RFMD公司不断根据蜂窝手机市场的需求来发展，这也将持续推动RFMD产品的销售量。RFMD还制定了一致的多市场战略，以便凭借其GaN及GaAs pHEMT技术的推出以及通过提议的Sirenza收购实现的IP及产品系列的扩展，瞄准具有更高价值的细分市场。”

　　RFMD总裁兼首席执行官Bob Bruggeworth强调：“RFMD所服务的市场正在增长，RFMD正在这些市场中增加其复合半导体部件比重。我们第二个制造厂的建立将使我们能够实现更高的增长率，同时还可降低制造成本，以及推动运营盈利能力的不断提高。完成后，我们第三个制造厂以及我们的第二个制造厂将重点制造采用GaAs HBT及GaAs pHEMT的高量产蜂窝及WLAN前端产品。这个新的制造厂还将为晶圆级封装SAW滤波器的生产以及具有高整合度前端功能的新一代工艺技术的开发提供产能。我们第一个制造厂将重点制造利用专业GaN、GaAs pHEMT及GaAs HBT技术的高价值多市场产品。”

　　RFMD当前正在提高其GaAs HBT与GaAs pHEMT的制造水平，以便满足所预测的即将来临的需求。