Mapper Lithography公司日前表示，它已经在其用于高端芯片制造的多束无掩模光刻机的开发上取得了重要进展。

　　该公司演示了它的产品能够实现批量并行电子束印刷，它的演示机上展示了45纳米密度模式（32纳米节点）和多个并行电子束。Mapper公司表示，这种机器采用了两种技术：利用光来分别开关电子束，并利用MEMS透镜阵列来准确聚焦并行电子束。

　　Mapper公司目前正在开发一款带有1000多个并行电子束的设备。该设备还运用了可传输大量信息的纤维光学。

　　Mapper公司是少数几个有希望开发出下一代无掩膜光刻设备的公司之一。它的产品消除了对昂贵的掩膜的需要，可以降低生产成本，缩短上市时间。

　　Mapper公司投资商之一台积电对该公司的开发成果给予了充分肯定。

　　台积电光刻部门高级总监Burn Lin指出：“这是一个重大突破，充分证明了Mapper低电压方案的多束分辨率性能。我们将继续探索将Mapper技术用于我们的高端制造程序中的可行性。”

　　Mapper公司CEO Boudewijn Baud乐观地表示：“我们整个研发团队为实现这一里程碑式的目标付出了很大的努力。从现在起我们可以将精力集中在把这一技术运用到300纳米平台。为此我们会大大扩建我们的研发团队。”