NAND型闪存(Flash)市场在2007年传统旺季行情走势频失常演出，最新出炉10月上旬合约价再度大跌近10%，除受到现货价格持续下跌拖累，三星电子(Samsung Electronics)近1个月大降合约价动作，亦引发下游模块厂频抗议，认为若未取得适当补贴来弥补之前进货库存损失，就不愿拿太多货，这使得NAND Flash合约价不断失守，整个市场虽进入传统旺季，然价格却不断下探。

　　内存厂指出，三星于8、9月期间主导NAND Flash合约价，由于价格波动过大，8月上旬8Gb合约价还有9美元，不到2个月后，现在只剩下6美元，导致不少内存模块厂库存损失太大，纷向上游大厂提出补偿计划，否则不愿意再进货，这也使得NAND Flash市场买气锐减，下游厂回补库存速度减缓。

　　内存业者表示，10月上旬NAND Flash合约价持续下跌，主要是反应现货市场疲软，如果合约价和现货价的价差过高，也是不合理情况，然2007年传统旺季NAND Flash市场疲软表现，却是各界始料未及情况，大陆十一长假前的补货需求未如预期浮现，欧美地区也因为价格大跌影响，而减缓回补库存速度。

　　下游模块厂则认为，虽然10月上旬合约价在8Gb容量方面还维持在6美元之上，但部分客户实际成交价已低于6美元，否则不少下游大客户根本不买账，整个NAND Flash市场已从卖方市场转变成买方市场。

　　尽管大陆十一长假效应并未显现，但下游厂商仍不放弃圣诞节前的买气效应。模块厂表示，随着现货、合约价格逐渐拉近距离，NAND Flash价格可望由大跌转趋平稳，间接带动终端通路商补货意愿增强，加上圣诞节前买气行情发酵，NAND Flash短期底部应可浮现。

　　10月上旬最新出炉NAND Flash合约价，主流8Gb芯片再度大跌8~9%(DRAMeXchange报价)，平均价格约6.16美元，与现货价5.5美元相较，2者价差已拉近至约10%；而其它如4Gb芯片合约价下跌8~13%，平均价格约5.34美元；16Gb芯片则下跌7%，平均价格约12.8美元。