至今磁阻RAM已经上市好几个月了，现在用户对包含嵌入式MRAM的系统级SoC的要求也越来越高。将作为整个系统一部分的嵌入式MRAM集成进未来的微控制器单元(MCU)可以带来诸多好处。MRAM可以按字节访问存储器，因此在存储器划分方面具有很大的灵活性。存储器的任何部分可以被译码为程序存储器或数据存储器。这种灵活的解码或存储器划分甚至可以在线进行。 
    智能汽车气囊应用就是一个很好的例子。气囊模块在组装工厂被安装进新的车辆。当汽车点火装置首次启动时，气囊模块从汽车的其它系统那收集基本信息。收集的信息可以是汽车的型号和生产日期、座位类型、方向盘类型以及气囊和传感器的数量和位置。这些都是MCU收集的基本信息，因此MCU能执行自我配置。这是很有必要的，因为一种气囊模块可以用于许多型号的车辆中，这些车辆可以有不同数量的气囊和传感器，也可以有不同类型的车身、座位和方向盘设计。 
    配置数据可以存储在MRAM的一个独立区域，并设置写保护，以便这些重要信息不会被意外覆盖。其它信息可以来自碰撞检测加速计、乘客重量传感器和座位位置数据。配置数据可随时变化，因此可以存储在没有写保护的第二个MRAM分区，使得这些数据在车辆行驶中能被更新信息定期改写。 
    主气囊的应用程序存储器可能要求大部分内存，可以存储在MRAM的第三个分区。第三个分区可以设置安全选项，以便在MCU失控故障条件下程序不会被改写，存储器内容也不会被未授权的外部访问命令所读取或改变。 
    不过还存在大量需要改进的地方。减少MRAM模拟电路功耗所使用的智能技术可以实现电池的高效使用。 
    MRAM的逻辑0和逻辑1状态是由传感放大器解释的。放大器可以检测到位阻从一个状态到另一个状态的改变。如果逻辑1状态的阻抗与逻辑0状态的阻抗相差甚远，传感放大器就能更快地读出位状态，从而通过减少访问时间来提高速度性能。 
    MRAM的性能改进有助于扩展潜在应用范围，确保更好地推进MRAM在嵌入式微控制器市场中的应用。随着MRAM性能的进一步增强，我们有望看到基于MRAM的MCU设计进入许多独特且有趣的应用领域。