电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat) BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。

    安森美半导体最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1A时，该器件可提供45mV的超低饱和电压及300倍的电流增益。这种低Vce(sat) BJT还提供超过8kV的较高的静电放电(ESD)容差，因此能在突发浪涌情况下自我保护，避免受损。由于实现了良好的电气性能及较低的温度系数，因此这种器件可提高能效，在无需额外ESD保护电路就能实现更好的电池节能。相对于MOSFET而言，这种器件比较适中的开关速度降低了噪声谐波，因此更适于需要控制电磁干扰(EMI)的应用。

    安森美半导体的低Vce(sat) BJT系列产品采用多种封装，包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量单价为0.14～0.27美元。