Infineon宣称该公司已经演示了超过3Gbps的读取硬盘驱动器读取通道的功能和数据速率。读取/写入通道IC是与日立环球存储科技公司(Hitachi Global Storage Technologies)合作的成果。 
    与Infineon的6Gbps serdes接口整合在一起时，读取通道内核可使集成的SoC读取/写入SoC针对未来的硬盘驱动器实现更高的数据速率。Infineon表示，该器件特别针对企业应用中硬盘驱动器的下一代垂直记录。 
    Infineon表示，不同版本的通道内核都来自公共的架构，并通过定制设计以满足特定的目标参数。作为读取通道的补充，半导体制造商还演示了6Gbps多标准PHY硅片，该硅片在即将出台的SAS 6G标准要求的“closed eye”环境下能以零误码率工作。 
    虽然即将推出的IC是为Hitachi公司开发的，并且IP包含客户指定的元器件，但Infineon发言人表示，为其它客户设计类似硅片的专业技术和版权仍在Infineon的控制之下。该发言人表示，“我们还可以为其它客户制造类似的硅片”。