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  • 超紫光刻发展缓慢 Intel转向反向光刻技术
    http://www.ic72.com 发布时间:2007/7/5 8:08:00
        由于超紫外线光刻技术(extreme ultraviolet,EUV)的发展迟缓,Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22纳米制造节点的可制造性设计。

         Intel正在开发的这种计算光刻(computational lithography)是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和两次图形曝光技术是Intel正在为22纳米制造节点进行评估的光刻技术。

        自1980年代以来,反向光刻技术得到多家机构的开发,有望取代光学临近矫正(optical proximity correction, OPC)。 反向光刻技术可能使EUV技术不再有用,而且EUV由于技术问题发展已经落后。

        Intel指望在2011年22纳米制造节点芯片开发中使用EUV技术。 EUV工具要到22纳米制造节点后期才能提供,而且成本昂贵,需要7000万到1亿美元。 
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