安森美半导体（Onsemi）宣布，将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ™硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。  

    安森美半导体的HighQ™ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。  

    位于美国的世界级安森美半导体200 mm制造厂采用的是IPD工艺。该厂具有高水平的原型和生产周期，高科技产品生产和故障分析设备和系统。  

    HighQ™制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、MIM 电容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 电阻器(9 ohms/square)，工艺成熟，将满足全部可靠性评估标准，显示了该方案的稳健。  
•    加工温度-65°C/150°C  
•    金属、Vias 和 MIM电容器上固有的稳定性  
•    高温反位相（Op）寿命(150°C, 504 小时)  
•    额定ESD：HBM, MM  

    HighQ™制造工艺是不平衡变换器、滤波器和滤波器/耦合器等用于便携和无线应用产品的最佳选择。  

    安森美半导体目前正在开发HighQ™高带宽滤波器系列，用于在高速串行接口上降低电磁干扰（EMI）。样品将于今年夏季推出，计划在第四季度生产。  

    安森美半导体为制造服务的客户提供用于IPD技术的设计组件，能够有效仿真的第一硅方案结果，并包含标准的Cadence™设计工具：  
•    PCELL 生产器、Views等；  
•    Cadence Assura DRC、LVS；  
•    带有安捷伦ADS模型的 Cadence RFDE 环境；  
•    从布局到HFSS仿真环境全自动转化。