日前，RF Micro Devices, Inc.（RFMD）宣布推出 RF386X 系列砷化镓 (GaAs) 准非晶态高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声放大器 (LNA)。RFMD 的新型 pHEMT LNA 提供了 700MHz～3800MHz 的功能，并且完美结合了比同类竞争解决方案更出色的低噪声与高线性。这些新型宽带 LNA 非常适用于无线网络，包括蜂窝、WLAN 及 WiMAX 基础设施。 

      RFMD 基础设施产品集团副总裁 Jeff Shealy 指出：“我们最新的 RF386X 系列 LNA 覆盖了多个倍频程，同时提供了出色的低噪声及高线性，从而最终可在单个元件中为用户的多种无线电应用提供更高的信号质量。对于多个增长市场中的应用，我们极具竞争力的宽带解决方案已在全球范围内赢得了设计胜利。” 

      RF386X 系列 LNA 主要针对面向 CDMA、PCS、DCS、UMTS、WLAN 及 WiMAX 应用的第一阶段低噪声及线性驱动放大。这些 LNA 具有各种配置 – 单阶、双阶及双通道，每个 LNA 均在内部加以匹配，能够以最小的外部偏压为网络设计人员提供最大的灵活性，从而简化了设计要求并缩短了上市时间。每个 RF386X LNA 均采用低成本的业界标准 QFN 封装。