于San Francisco举行的国际连接技术会议(International Interconnect Technology Conference)上，意法半导体的研究人员将对用于RF及模拟应用的密集金属绝缘层金属(MIM)电容器的进展进行报告。在新型互连领域的若干努力近来已经取得一些成效，该工作是就是其中之一。 
    为了按照摩尔定律的缩放比例创建单元面积增大的电容，与此同时，确保模拟和RF应用所需的高水平性能(泄漏、击穿或电压线性)，MIM电容器就是关键的元器件。 
    最近引入到IC工艺中的相对不成熟的高k材料被证实充满了挑战。ST公司的研究人员发现，如果他们采用了像五氧化二钽(Ta2O5, 具有k值为25)这样更成熟的中等k值材料，他们就能实现多达17femtofarads/平方微米的电容密度，并具有超过15V的击穿电压，可在极佳的电压线性上工作。 
    3-D MIM电容器被整合在一种层间电介质(ILD)之中，电介质的上层采用了一种3D波形花纹架构。离子增强的原子层沉积(PEALD)被用于沉积MIM堆。据ST介绍，一种20纳米PEALD氮化钛(TiN)层被证明是防止铜扩散和粘接问题的适合电极。 
    同时IBM公司的研究人员也将采用一种基于钌的势垒层。据IBM称，与钌的方向相匹配时，铜的颗粒结构减少了电子散射，因而，也减少了阻抗。 
    目前，钽(Ta)和氮化钽(TaN)往往被用作铜线绝缘体之间的势垒层或衬底。但是，采用典型的物理气相沉积(PVD)工艺，铜线不能直接镀在这些材料上，而且利用这些材料很难满足高纵横比架构。 如果用钌(Ru)取代钽层，铜线就能直接被电镀到Ru上，Ru比Ta也有更低的电阻。 
    NEC公司的研究人员已经开始采用Ru势垒层，使铜线电阻系数降低了12.4%。 
    在本周的大会上，来自比利时校际微电子中心(IMEC)的研究人员也将就极富前景的铜线到铜线的热压缩绑定方法做报告，该方法采用一种适应自旋的绝缘胶层，来创建一种具有改进的热和机械稳定性的3D系统。 
    与此同时，飞思卡尔半导体及电子技术和仪器实验室(LETI)的研究人员已经创建了一种3D电路，它采用了电介质到电介质的直接晶圆绑定工艺和90纳米低k互连技术。 
    索尼和东芝的研究人员已经把自形成势垒层整合到32纳米节点的混合双介质结构中。这种混合结构在通空的底部有一层电介质，在通孔的顶部有另一层不同的电介质，从而优化性能和稳定性。