DRAM现货市场昨天出现不小反弹，其中UTT（未经完整测试颗粒）单日大涨9.83%，据了解是部分模块厂趁低价进货，不过业者也表示，以目前市况还无法看出是真需求、还是假性需求，厂商还在观望。 
　　UTT颗粒大涨9.83% 

　　根据DRAMeXchange报价，512M DDR2 667原厂颗粒价格在1.55~2.05美元，均价1.74美元，平均涨幅2.35%；至于在512M DDR2 UTT价格在1.43~1.55美元，均价1.5美元，涨幅9.83%。

　　由于UTT主要采购者是模块厂与贸易商，因此可能买盘来自模块厂提前建库存。

　　业者指出，目前并未见到实际的买盘出现，大多是假性需求，价格真正反弹还要继续观察，不过可以确定的是，底部已经不远。

　　而因应产能过剩，业界传出海力士转移M10厂部分产能到NAND Flash（储存型闪存），因此海力士在6月DDR2出货会减少，7月会更明显，目前M10厂生产NAND产能每月2万片，年底将增加到4~5万片。 

　　模块厂提前建立库存 

　　不过美林证券驻南韩内存分析师禹东济表示，南韩DRAM大厂将部分DRAM产能转移至NAND的营运策略，根本就无法改善DRAM报价持续走跌的问题。

　　目前全球DRAM产能为NAND的2.5倍多，将DRAM产能转至NAND不但无济于事，还恐怕将拖累NAND的价格表现，真正关键是必须大幅削减资本投资。

　　由于DRAM价格十分便宜，日本NB大厂新力最发发表新款NB，其中高阶机种VGN-SZ486及VGN-SZ476两款，DRAM模块容量直接升级到2GB，如果其它带动戴尔、惠普、宏碁、联想等大厂跟进，对DRAM价格触底反弹将是利多。