富士通在2007年5月16日开幕的“第10届嵌入系统开发技术展（ESEC）”上，参考展出了配备强电介质内置内存（FeRAM，铁电内存）的通用8bit微控制器。评测用芯片“MB95RV100”近日即可供应，计划2008年前后量产供货。CPU内核采用“F2MC-8FX”，工作频率为10MHz。首先面向密钥数据的保存用途投放市场。 

    配备FeRAM的微控制器最初只应用于数据保存区域（原有微控制的RAM部分）。程序保存区域预定以掩膜ROM的形式提供。产品系列计划对于数据保存用途推出FeRAM分别为4KB、12KB、32KB的3种产品，对于程序保存用途推出掩膜ROM分别为16KB、32KB、48KB的3种产品。 

    在微控制器上配备FeRAM时，从原理上说，能够实现ROM/RAM区域的共享，设计人员可自由设定ROM和RAM各自的分配容量，此次的量产产品将采用掩膜ROM。但此次展出的评测用芯片方面，ROM和RAM均采用的是FeRAM。 

    富士通表示，配备FeRAM的微控制器量产产品的成本可达到与内置闪存的微控制器同等水平。内置闪存的微控制器方面，需要配备用于向闪存写入信息的升压电路，而FeRAM则不需要该电路，因此，在地址空间狭小且ROM/RAM容量小的8bit微控制器等领域，除写入时间快这一原本就具有的优点外，FeRAM还有成本方面的优势。不过，在内存单元方面，FeRAM的尺寸要比闪存大。因此，像32bit微控制器这样需要配备大容量ROM/RAM的用途方面，“仍然是内置闪存的微控制器更具优势”（富士通）。 

    富士通的FeRAM此前已应用于面向非接触IC卡等特定用途的ACIC等，在通用微控制器上配备FeRAM还是首次。