日本东北大学大学院工学研究科纳米力学专业阎纪旺准教授及厨川常元教授的研究小组利用纳秒脉冲激光照射，成功完成了单晶硅加工变质层的完全修复。这是一种通过使用高频纳秒脉冲激光，同时完全消灭单晶硅加工物表面的非结晶层的单晶化和位错的方法。该方法有以下四个特征。（1）由于丝毫不剔除材料，底板的形状精度可维持原样；（2）可使用高频纳秒脉冲激光器在极短时间内修复；（3）完全不排放化学废液，是对环境无负面影响的清洁技术；（4）能够用于形状复杂的工件，进行局部选择性修复和表面构成控制。 
    该方法可以使生成无缺陷的单结晶表面成为可能，有望在半导体底板及光学元件领域，实现新的制造工艺。