NXP推出高效能超低噪声的微波晶体管，高频应用(20GHz以下)的NPN微波晶体管BFU725F可提供极佳的高切换频率、高增益和低噪声等组合性能。藉由其超低的噪声系数，非常适用于敏感度高的RFmodule及Highperformancemobilephones；此外，其高切换频率的特色可用作10GHz～30GHz之微波应用如卫星电视接收器及汽车防撞雷达的解决方案。
    BFU725F采用了创新的硅锗碳(SiGe:C)BiCMOS制程-QUBiC4X，这是专门为符合现实生活中的高频应用要求所设计的，可提供优越的高功率增益及动态范围组合性能，这个晶体管可谓将砷化镓(GaAs)的性能及硅锗碳的可靠性结为一体，但不需像使用砷化镓组件时还要再增加负偏置电压(negativebiasingvoltages)的设计，所以在产品应用上更能为客户带来成本效益。 
    KeyFeatures 
    Verylownoiceof0.69dBat6GHz 
    HighMaximumstablegain(Gms)27.8dBat1.8GHz 
    Highswitchingfrequency-fT>100GHz,fmax>150GHz 
    Plasticsurfacemountedpackage,SOT343F 
    KeyBenefits 
    Verylownoiseof0.4dBat1.8GHz 
    Highgainof10dBat18GHz 
    SiGe:Cprocessensureshighswitchingfrequency 
    Cost-effectivealternativetoGaAsdevices 
    KeyApplications 
    GPSsystem 
    DECTPhone 
    2ndstageLNAandmixerinDBSandLNB 
    SatelliteRadio 
    WLANandCDMAapplications 
    Low-noisemicrowaveapplications