今年第一季度NAND闪存出现了产能过剩的情况，尤其是多层单元NAND闪存，价格也随之大幅度下跌，这对新达公司的影响很大。一季度他亏损57万5000美元，而去年同期是盈利3510万美元。今年一季度毛利润率为14.2%，去年则为28.4%。存储卡平均容量达到了1231MB，年增长率为87%，季度增长率为11%。而每MB平均价格年下跌率为62%，季度下跌率为23%。

    对于出现这种局面的原因，公司主席兼首席执行官EliHarari解释说芯片制造商处在单层单元闪存到多层单元闪存的换代中，老型号的清仓导致了新型号的NAND闪存的积压。但是这种不平衡会很快消失，价格也会回到正常水平上来。新达公司所产芯片的99%都是多层单元结构的。现在多层单元结构产品的价格已经回到正常水平了，但是仍有很多多层单元结构NAND芯片流入市场，价格仍会波动。现有库存都售出后，价格才会真正稳定在合理水平。 
    Harari说虽然现在可以看到价格回升的曙光，但仍要降价，因为市场占有率对新达公司来说太重要了。我们虽然在第一季度也进行了大幅度的降价，但幅度仍不及竞争对手，我们因此失去了北美的部分零售市场。 
    新达公司目前正在加紧研制56nm闪存的步伐。公司已经开始在3号工厂开始进行56nm芯片的批量生产，容量有16GB与8GB两种。他预测容量高达8Gb和16Gb的芯片在今年第四季度会成为市场的主流。 
    3号工厂计划2007年内加工15万枚晶圆，超过了原先13万6千的计划。而据Harari所说4号工厂会在2008年的上半年也投入这些产品的生产。除了56nm的计划外，新达公司还打算在2008年上半年开始研发45nm闪存的产品。