无论你是利用III-V簇晶圆生产用于手机配件的RF芯片，还是利用硅技术生产高性能模拟电路，在研发和生产中预测最终产品的性能和可靠性，都需要晶圆级RF散射参数（s）的测量。这些测试对DC数据是重要的补充，相对于单纯的DC测试，它用更少的测试却能提供明显更多的信息。实际上，一个两通道的s参数扫描能同时提取阻抗和电容参数，而采用常规DC方法，则需要分开测试，甚至需要单独的结构以分离工艺控制需要的信息。

功放RF芯片的功能测试是这种性能的另外一种应用。这些器件非常复杂，然而价格波动大。生产中高频低压的测试条件排除了通常阻碍晶圆级测试的功耗问题。也不存在次品器件昂贵的封装费用。已知良品芯片技术也可以应用于晶圆级测试中，它能够明显改进使用RF芯片的模块的良率。

芯片制造商也可以利用晶圆级RF测试来提取各种高性能模拟和无线电路的品质因数。比如滤波器、混频器以及振荡器。SoC（System-on-chip）器件制造商希望这种子电路测试技术能够降低总体的测试成本。

130nm节点以下的高性能逻辑器件中，表征薄SiO2和高介电常数（high-k）栅介质的等效氧化层厚度（EOT）非常关键。RF测试在介电层的精确建模方面扮演了重要角色，它能够去除掉寄生元件，而这种寄生效应在传统的二元模型中将阻碍C-V数据的正确表示。中高频 (MFCV, HFCV) 电容测量技术不可能因为仪器而对测试引入串联阻抗。