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  • Renesas发布5W高频功率MOSFET
    http://www.ic72.com 发布时间:2007/4/29 10:23:23

    瑞萨科技公司宣布推出包括5 W输出RQA0002在内的三种高频功率MOSFET,用于手持式无线电设备及类似设备中的传输功率放大,通过使用新工艺和新封装,实现了高效率*1、并大大减小了封装的尺寸。

    在2005年5月,将在日本开始无线电天线1 W输出RQA0001的批量生产,在7月份开始5 W 输出RQA0002的批量生产,在4月22日开始3 W 输出RQA0003的批量生产。

    这些新产品的主要特性如下。

    (1) 在低电压下实现高效率
    由于大多数商用和休闲用无线电设备是手持式的,要求高频功率MOSFET提供适合电池驱动和高效率的低压操作,使通信时间可以延长。通过使用新工艺,这三种产品在3.6 V-7.5 V的低压操作下实现了高效率。尤其是RQA0002,可以提供5 W输出下的业界最高效率水平,功率附加效率是68% (7.5 V工作电压和520 MHz频率下)。与瑞萨科技先前的12 V下工作的产品相比,功率附加效率增加了大约4%,同时降低了电压,并实现了高达9 W的输出功率。

    (2) 小型、薄型、无引线、无铅封装
    我们已经开发出两种具有很好散热特性的小型、薄型封装,以满足更小、更薄手持式设备的需要。WSON0504-2的尺寸为5.0 mm × 4.0 mm 、厚度为0.8 mm (最大值) ,它的 (瑞萨科技的封装代码) 的安装面积比瑞萨科技目前的RP8P (瑞萨科技的封装代码) 封装约减小了31%,厚度小了大约46% 。RQA0002通过使用这种封装,成为了业界最小、最薄的5 W输出高频功率MOSFET。RQA0001 和RQA0003使用尺寸为3.0 mm × 3.0 mm、厚度为0.8 mm (最大值) 的WSON0303-2 (瑞萨科技的封装代码) ,与目前的UPAK (瑞萨科技的封装代码) 封装相比,安装面积约减小了53%、厚度约减小了50%。

    WSON0504-2和WSON0303-2是无引线型封装,将电接地和散热结合起来,并且是绿色环保的完全无铅结构。

    这三种产品系列可以用于不同的天线输出,与具有不同无线电规则的各国商用和休闲用无线电设备兼容。




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