晶片表面的颗粒大小可由从非常大的（50微米）变化到小于一微米。大的颗粒可用传统的化学浸泡池和相应的清水冲洗除去。较小的颗粒被几种很强的力量吸附在表面所以很难除去。一种是范德华吸引力，这是一种在一个原子的电子和另一个原子的核之间形成的很强的原子间吸引力。尽量减小这种静电引力的技术是控制一种叫做z-电势的变量。z-电势是在颗粒周围的带电区与清洁液中带相反电荷的带电区域形成平衡的平衡电势。这个电势随着速度（当晶片在清洗池中移动时清洗液的相对移动速度），溶液的pH值和溶液中的电解质的浓度变化而变化的。同时，它还将受到清洗液中的添加剂，如表面活性剂的影响。我们可以通过设定这些条件来得到一个与晶片表面相同电性的较大电势，从而产生排斥作用使得颗粒从晶片表面脱落而保留在溶液中。
Capillary引力是另外一个问题。它产生了颗粒与表面之间形成的液体桥（图5.24）。Capillary引力可以比范德华引力大。30表面活性剂或一些机械的辅助，例如超声波，被用来去除表面的这些颗粒。
清洗工艺多为一系列的步骤，用来将大小不一的颗粒同时除去。最简单的颗粒去除工艺是用位于清洗台的手持氮气枪喷出的经过过滤的高压氮气吹晶片的表面。在存在小颗粒问题的制造区域，氮气枪上配置了离子化器，从而除去氮气流中的静电，而使晶片表面呈中性。氮气吹枪是手持的，操作员在使用它的时候必须注意不要污染操作台上的其它晶片或操作台本身。通常在洁净等级为1/10的洁净室中，不使用吹枪。