PN结隔离的制造工艺 （a） P-Si衬底（b）氧化（c）光刻掩模1 （d）腐蚀（e）N+埋层扩散（f）外延及氧化（g）光刻掩模2（i）P+隔离扩散及氧化
在隔离岛上制作NPN型管的工艺流程及剖面图

双极集成电路中元件的形成过程和元件结构 由典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺制作的集成电路中的晶体管的剖面图如图1所示，它基本上由表面图形(由光刻掩模决定)和杂质浓度分布决定。下面结合主要工艺流程来介绍双极型集成电路中元器件的形成过程及其结构。
典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程图

1.衬底选择
2. 第一次光刻—N+埋层扩散孔
3. 外延层淀积
第二次光刻—P+隔离扩散孔
第三次光刻—P型基区扩散孔
第四次光刻—N+发射区扩散孔
第五次光刻—引线接触孔
第六次光刻—金属化内连线：反刻铝