硅-硅直接键合技术主要应用于SOI、MEMS和大功率器件，按照结构又可以分为两大类：一类是键合衬底材料，包括用于高频、抗辐射和VSIL的SOI衬底和用于大功率高压器件的类外延的疏水键合N⁺-N^-或N⁺-P^-衬底，发光器件衬底等；另一类是形成键合的器件结构，包括MEMS器件的各种密封腔和高压功率器件。