A.新清洗液的开发使用
1）.APM清洗
a. 为抑制SC-1时表面Ra变大，应降低NH4OH组成比，例：
NH4OH：H2O2：H2O = 0.05：1：1
当Ra = 0.2nm的硅片清洗后其值不变，在APM洗后的D1W漂洗应在低温下进行。
b. 可使用兆声波清洗去除超微粒子，同时可降低清洗液温度，减少金属附着。
c. 在SC-1液中添加界面活性剂、可使清洗液的表面张力从6.3dyn/cm下降到19 dyn/cm。
选用低表面张力的清洗液，可使颗粒去除率稳定，维持较高的去除效率。
使用SC-1液洗，其Ra变大，约是清洗前的2倍。用低表面张力的清洗液，其Ra变化不大（基本不变）。
d. 在SC-1液中加入HF，控制其PH值，可控制清洗液中金属络合离子的状态，抑制金属的再附着，也可抑制Ra的增大和COP的发生。
e. 在SC-1加入螯合剂，可使洗液中的金属不断形成螯合物，有利抑制金属的表面的附着。
2）.去除有机物： O3 + H2O
3）.SC-1液的改进： SC-1 + 界面活性剂
SC-1 + HF
SC-1 + 螯合剂
4）.DHF的改进：
DHF + 氧化剂（例HF+H2O2）
DHF + 阴离子界面活性剂
DHF + 络合剂
DHF + 螯合剂
5）酸系统溶液：
HNO3 + H2O2、
HNO3 + HF + H2O2、
HF + HCL
6）.其它： 电介超纯去离子水
B. O3＋H2O清洗
1）.如硅片表面附着有机物，就不能完全去除表面的自然氧化层和金属杂质，因此清洗时首先应去除有机物。
2）.据报道在用添加2-10 ppm O3 的超净水清洗，对去除有机物很有效，可在室温进行清洗，不必进行废液处理，比SC-1清洗有很多优点。
C. HF ＋ H2O2清洗
1. 据报道用HF 0.5 % + H2O2 10 %，在室温下清洗，可防止DHF清洗中的Cu等贵金属的附着。
2. 由于H2O2氧化作用，可在硅表面形成自然氧化膜，同时又因HF的作用将自然氧化层腐蚀掉，附着在氧化膜上的金属可溶解到清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。
在APM清洗时附着在晶片表面的金属氢氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不会再生长。
3. Al、Fe、Ni等金属同DHF清洗一样，不会附着在晶片表面。
4. 对n+、P+ 型硅表面的腐蚀速度比n、p 型硅表面大得多，可
导致表面粗糙，因而不适合使用于n+、P+ 型的硅片清洗。
5. 添加强氧化剂H2O2（E0=1.776V），比Cu2+ 离子优先从Si中夺取电子，因此硅表面由于H2O2 被氧化，Cu以Cu2+ 离子状态存在于清洗液中。即使硅表面附着金属Cu，也会从氧化剂H2O2 夺取电子呈离子化。硅表面被氧化，形成一层自然氧化膜。因此Cu2+ 离子和Si电子交换很难发生，并越来越不易附着。
D. DHF ＋ 界面活性剂的清洗
据报道在HF 0.5%的DHF液中加入界面活性剂，其清洗效果与HF + H2O2清洗有相同效果。
E. DHF＋阴离子界面活性剂清洗
据报道在DHF液，硅表面为负电位，粒子表面为正电位，当加入阴离子界面活性剂，可使得硅表面和粒子表面的电位为同符号，即粒子表面电位由正变为负，与硅片表面正电位同符号，使硅片表面和粒子表面之间产生电的排斥力，因此可防止粒子的再附着。
F. 以HF / O3 为基础的硅片化学清洗技术
此清洗工艺是以德国ASTEC公司的AD-(ASTEC-Drying) 专利而闻名于世。其HF/O3 清洗、干燥均在一个工艺槽内完成,。而传统工艺则须经多道工艺以达到去除金属污染、冲洗和干燥的目的。在HF / O3清洗、干燥工艺后形成的硅片H表面 (H-terminal) 在其以后的工艺流程中可按要求在臭氧气相中被重新氧化.