1 液态源磷扩散
1.1 三氯氧磷的性质
1.2 扩散反应机理
1.2.1 分解反应
1.2.2 扩散反应
1.2.3 系统中加入氧气可促进源的分解反应
1.3 扩散工艺系统和典型工艺
1.3.1 扩散工艺系统
1.3.2 扩散典型工艺
1.4 磷扩散的工艺要求
1.4.1 系统密闭性好、通风好
1.4.2 保持源温恒定
1.4.3 系统保持干燥
2 固态氮化硼源扩散
2.1 固态氮化硼源扩散的优点
2.1.1 操作方便
2.1.2 装置简单
2.1.3 生产效率高
2.1.4 扩散参数均匀性好
2.1.5 扩散参数重复性好
2.2 氮化硼源的扩散工艺
2.2.1 箱式扩散装置的扩散工艺
2.2.2 直插列式装置的扩散工艺
2.3 固态氮化硼源扩散的扩散机理
2.3.1 烧源
2.3.2 装片
2.3.3扩散
2.4 关于其它片状源扩散
2.4.1 片状三氧化二硼源扩散
2.4.2 片状磷源扩散
3 固-固扩散
3.1 常见的固-固扩散
3.1.1 金扩散
3.1.2 涂源扩散
3.1.3 低温淀积氧化物源扩散
3.2 扩散过程和扩散机理
3.2.1 扩散过程
3.2.2 扩散机理
3.2.3固-固扩散与一般扩散工艺比较
3.3 扩散的杂质分布
3.3.1表面杂质浓度
3.3.2扩散杂质分布讨论
3.3.3 扩散结深
3.4 固-固扩散的优点
3.4.1扩散过程中产生的晶格缺陷少
3.4.2 扩散后表面状态好
3.4.3 扩散均匀性、重复性好
3.4.4 表面浓度的可调范围宽
课程重点：本节介绍了硅器件和硅集成电路制造中的各种扩散工艺方法。以三氯氧磷源扩散为例讨论了液态源扩散，讨论了该扩散的扩散工艺系统；扩散典型工艺条件；扩散的反应机理和工艺要求。以粉末状和片状氮化硼源的扩散为例讨论了固态氮化硼源扩散，讨论了固态源扩散的优点；两种固态源扩散的工艺；固态源扩散的扩散反应机理等。讨论了固-固扩散工艺，介绍了几种常见的固-固扩散工艺；介绍了固-固扩散的扩散过程和对应的扩散反应机理、给出了固-固扩散与一般扩散工艺比较；讨论了扩散的杂质分布及其工艺参量；介绍了固-固扩散工艺的优点。
课程难点：三氯氧磷源磷扩散中三氯氧磷源的性质、应注意的事项；三氯氧磷源在扩散中的扩散反应机理；三氯氧磷源磷扩散的扩散工艺系统及扩散工艺要求。有关固态氮化硼源扩散的粉末状氮化硼源和片状氮化硼源两种扩散方法；两种固态源扩散的工艺方法、工艺方法对比；粉末状氮化硼源和片状氮化硼源两种扩散的实施工艺及其特点分析。有关固-固扩散工艺的几种常见的实施工艺；固-固扩散的扩散过程及其对应的反应机理；固-固扩散的扩散杂质分布与气-固扩散相比有什么特点；固-固扩散与气-固扩散相比工艺特点和工艺参数形成特点；固-固扩散的优点理论分析。
基本概念：
1气态源扩散-杂质源为气态，稀释后挥发进入扩散系统的扩散掺杂过程。
2 液态源扩散-杂质源为液态，由保护性气体携带进入扩散系统的扩散掺杂过程。
3固态源扩散-杂质源为固态，通入保护性气体，在扩散系统中完成杂质由源到硅片表面的气相输运的扩散掺杂过程。
4 p型杂质源-为受主型杂质源，杂质进入硅晶体中取代硅位置后提供负电离中心和空穴。
5 n型杂质源-为施主型杂质源，杂质进入硅晶体中取代硅位置后提供正电离中心和电子。
6 固-固扩散-在硅片表面制备一层固态杂质源，通过加热处理使杂质由固态杂质源直接向固体硅中扩散掺杂的过程。
基本要求：知道杂质源的各种组态，了解气态源扩散的定义，气态源扩散的扩散工艺特点，气态源扩散的扩散反应机理；了解液态源扩散的定义，液态源扩散的扩散工艺特点，液态源扩散的扩散反应机理；了解固态源的气-固扩散的定义，固态源扩散两种方式的各自的扩散工艺特点，固态源扩散的扩散反应机理；了解固-固扩散扩散的定义，固-固扩散的扩散工艺特点，固-固扩散的扩散反应机理，固-固扩散的扩散杂质分布与气-固扩散相比有什么不同、对实际扩散工艺的实施有什么指导意义。
