在对更快和更可靠的存储器研究中，铁电体成为一种可行的方案。一个存储器单元必须用两种状态中的一种（开／关，高／低，0／1）存储信息，能够快速响应（读写）和可靠地改变状态。铁电材料电容如PbZr1-xTxO3(PZT)和SrBi2Ta2O9(SBT)正好表现出这些特性。它们并入SiCMOS（参考第十六章）存储电路叫做铁电随机存储器（FeRAM）。５

Ge Si GaAs SiO2
原子质量
每立方厘米原子数或摩尔
晶体结构
单位晶格
密度
能隙
绝缘系数
熔点
击穿电压
热膨胀线性系数

图2.14 半导体材料的物理性能