另一个对标准金属流的修正包括添加silicide。硅元素和很多金属反应，包括铂，钯，钛和镍，形成化合物。这些silicides能形成低电阻的Ohmic contacts，某种silicides还能形成稳定的 rectifying Schottky barriers。因此silicidation不仅提高了contact电阻――这个对barrier metal系统是个问题――也能在不用额外成本下形成肖特基二极管。Silicide 比最重掺杂的硅有更低的电阻，所以他们也能用来降低特定硅区域的电阻。许多MOS工艺使用silicided 多晶（也叫做clad poly）来制作高速MOS晶体管的gate。有些工艺也clad晶体管的source/drain区域来降低他们的电阻。由于多数silicide是相对refractory的，他们的沉积不排除后来的高温过程。因此silicided gate能用来制作self-aligned的source/drain区域。

图2.28展示了在wafer的选定区域沉积铂silicide层所需的步骤。Contact被打开后立刻有一薄层铂金属被沉积到整个wafer。然后wafer被加热，使contact中的铂薄膜部分和硅反应形成铂silicide。未反应的铂能用一种叫做王水的酸的混合物去除。这个步骤使得contact opening和任何暴露的多晶硅都硅化了。如果需要，可以加入额外的masking步骤来选择哪些区域要silicide。用clad多晶的工艺必须合并一个silicide block mask来制造多晶电阻。如果这步没有做，silicidation会把所有的多晶转换成低电阻物质。

图2.28 silicidation步骤，同时显示了silicided contacthe silicided poly。

一个典型的silicided金属系统由一个最底层的铂silicide层，一个中间的refractory barrier meatl层和一个最顶层的铜掺杂铝层组成。（24 加入refractory barrier metal是为了防止铂silicide和铝反应。对多数refractory silicides来说这都不需要；参见Sze, pg.409.）最终的夹层表现出低电阻，高electromigration免疫性，稳定的contact阻抗和精确控制的合金深度。要得到所有这些优点的这三层的成本比简单的一层铝合金金属的成本高多了，但性能上的提升是实实在在的。